为什么MOSFET的输入电阻比BJT高

MOSFET驱动器的主要作用是阻抗变换和功率输出,它的输入阻抗极高而输出阻抗可以很低,它的输入信号功率极小而输出功率可以较大或很大.

是,看看外文资料,是否翻译不同而已.

mosfet是绝缘栅场效应管是电压控制的输出电流,由于是绝缘栅所以阻抗那是相当的大基本上输入电流为0

场效应管工作的时候,输入极（栅极）是和衬底绝缘的,没有电流流入,依靠和衬底之间的电压来控制源极-漏极之间的电阻大小.结型场效应管的原理差不多,其工作时候的PN结是反偏的,也没有输入电流.场效应管是电压

看你的电路拓扑的,有的是改变频率的,但改占空比的多.

中间是两个电位器.以上图为例,左侧红线旁边是个电容,上写1021KV字样.右侧最上是一个电解电容,然后有一个芯片,再下是一个电解电容和一个封装和0805三极管一样的东西.有个朋友认为红是电源正,蓝为输

这只是假设,纯粹是为了分析方便.实际的运放,双极型运放开环输入电阻约1M,结型场效应管输入电阻约10M,绝缘删型场效应管输入电阻在100M以上.

利用放大器的虚短路原理,你可以列出电路方程.我们设输入端电压u1接的输入电阻是r1,输出端电压u0反馈回来,接到r1的电阻是r2,那么u0=-u1*r2/r1从这个式子可以看到要想|u0|很大,那么r

mosfet当中的高频振荡原因是,由mosfet的结电容和栅极回路中的寄生电感共同作用产生的,也就是说mosfet在开通关断时,mosfet的结电容存在一个充电和放电的动作,而充电、放电电流都要流过m

有啊怎么没有在元件库文件里有个PSPICE的文件夹里面有个PWRMOS库文件就是了

运放是差分输入的放大器,论理正、反输入端阻抗是一样的,而实际上运放是接成闭环放大器工作的,反相输入端是“虚地”点,对信号而言就是接地,所以输入阻抗低.你搜索一下虚地的概念.随便说一下,如果开环工作做比

对于放大器来说,施加在输入端的输入信号电压和电流之间,总存在一定的比例关系,这个关系就体现为输入阻抗；如果不考虑相位关系,就可以将其看为输入电阻.输入电阻一般分直流输入电阻和交流输入电阻两种情况：所谓

运算放大器电路具有二个特点：开环放大倍速无限大、输入电阻无限大,进而有第三个特点：流向输入端的电流为0.还要注意一点,运算放大器的输入端一般采用差分结构,基于这些个特点,我们可以推断Ui+=Ui-（因

现在的运放一般的输入阻抗很高,所以运放信号输入端电阻选择余地比较大.但反向放大的输入阻抗是不大的,所以反向放大的时候,要考虑信号源的内阻.通常为了减小偏置电流带来的影响,还有就是降低噪声和温飘的影响,

极限参数ID@Tc=25C°Vgs@10V17Amosfet芯片case温度在25C°、栅极电压为10V时,芯片允许通过的最大连续漏极电流为17A如果芯片case温度上升到100C°,则漏极电流下降为

mosfet的导通电阻可以做到几个mohm,但mosfet没有IGBT那么高的耐压,具体还是要看你的应用,栅电荷方面看,MOSFET具有优势,对于同样的栅极驱动力具有更快的导通速度,IGBT的话由于是

看你测试的实验条件是不是一致,测量过程中可能还有测量误差,包括电路中的寄生参数,寄生的电容,电感都会影响开关时间.

JFET的输入电阻是栅极与源极之间的电阻,而JFET工作时加的栅-源电压是反向电压,栅pn结是反偏的,因此输入电阻很高（也就是pn结在反偏时的电阻）.BJT的输入电阻是发射极与基极之间的电阻,而BJT

输入电阻无穷大（原因是以差分放大电路作为输入级,差分电路的输入电阻很大）.输出电阻为0（原因是输出级采用了互补或准互补输出结构,输入电阻很小,再加上使用的时候引入电压负反馈,更进一步减小了输出电阻）开

前级输出信号馈入后级输入端,因此,后级输入是前级输出的负载.但这句话并不是特别严密,因为输入输出电阻都有交流直流、大信号小信号等多种情况下的考虑,有些放大电路还必须考虑本身的偏置、反馈什么的,特别是很