晶格能与分裂能的关系

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为了便于研究和学习晶体结构,首先把实际晶体简化为理想晶体,并采用刚球模型；再把理想晶体抽象为空间点阵,由此可将晶体分为七个晶系和十四种布拉菲点阵.大多数金属具有面心立方、体心立方或密排六方结构,其中面

把晶体中的每个结构单元（原子、分子、原子团或离子）抽象为一个点,间距相等的点排成一行直线点阵,直线点阵平行排列而形成一个平面点阵,许多平面点阵平行排列就成了三维空间点阵.在点阵中以三维空间3个周期a、

影响晶格能大小的因素主要是离子半径、离子电荷数.离子半径　　例如,随着卤离子半径增大,卤化物的晶格能降低离子电荷　　高价化合物的晶格能远大于低价离子化合物的晶格能,如MgO>NaCl.高中可以用类似库

根据Born-Haber（波恩-哈伯）循环计算晶格能,首先要正确的画出热力学循环图明确每一步所对应的能量变化的意义；然后查处升华焓、电离能、气化焓、键能、电子亲和能和标准摩尔升华焓等热力学数据,并注意

晶格能的大小反映了离子晶体中正负离子之间作用力的强弱.因此,晶格能主要取决于离子的电荷和半径.MgCl2的晶格能大于NaClMg2+带2个电荷离子半径又小于Na+比较离子晶体熔沸点都要提到晶格能,记得

这个不同的概念晶体具有不同的晶格破坏晶格需要的能量就是晶格能

影响晶格能大小的因素主要是离子半径、离子电荷以及离子的电子层构型等.离子半径　　高价化合物的晶格能远大于低价离子化合物的晶格能,如UTiN>UMgO>UNaCl.离子的电子层构型

主要影响因素是离子电荷,电荷越高,晶格能越大.其次就是离子半径,离子越小,晶格能越大.再下来是离子构型,离子外层d电子越多,越容易发生离子极化,相应晶格能会下降.

晶格能又叫点阵能.它是在反应时1mol离子化合物中的正、负离子从相互分离的气态结合成离子晶体时所放出的能量.用化学反应式表示时,相当于下面反应式的焓变的负值.　　aMz+(g)+bXz-(g)→MaX

貌似数据不足是LiF的生化喊还是说缺少关于F2的数据

晶格能又叫点阵能,它表示1mol离子化合物中的正、负离子从相互分离的气态结合成离子晶体时所放出的能量.晶格能也可以说是破坏1mol晶体,使它变成完全分离的气态自由离子所需要消耗的能量.

晶格能受离子半径和离子所带电荷的影响,离子半径越小,所带电荷越多,晶格能就越大.离子晶体熔化过程,其实是离子间相互作用力（离子键）被破坏的过程,被破坏后,离子就可以自由移动了.所以晶格能越大,离子晶体

主要影响因素是离子电荷,电荷越高,晶格能越大.其次就是离子半径,离子越小,晶格能越大.再下来是离子构型,离子外层d电子越多,越容易发生离子极化,相应晶格能会下降.

晶格能小于键能.原因如下：晶格能是分子或者原子在形成晶体的时候分子与分子或者原子与原子之间的静电引力和分子间的空间构形引起的.而键能则是原子或者原子团之间电子对偏移或者得失形成的强烈的能量联系（静电引

金刚石是原子晶体,氯化钠是离子晶体,氧化镁是离子晶体,钠离子和氯离子带一个电荷,镁离子和氧离子带二个电荷,钠离子和氯离子半径都大于镁离子和氧离子,所以金刚石大于氯化钠大于氧化镁再问：嗯...首先，钠离

使离子晶体变为气态正离子和气态负离子所吸收的能量叫晶格能.它是用来衡量离子间静电作用强度的.所以“硫酸镁和硫酸钡都是硫酸盐所以晶格能相差不大”.晶格能的计算采用：1、Born-Haber循环2、Bor

晶格能是分子或者原子在形成晶体的时候分子与分子或者原子与原子之间的静电引力和分子间的空间构形引起的.键能则是原子或者原子团之间电子对偏移或者得失形成的强烈的能量联系.

你想拆开它所耗的能与键能不同,要考虑空间结构

离子键个数这个讲法本来就不科学所以也就不能说离子键个数与晶格能的关系实际是晶格能的大小与二个因素有关吧一个是离子所带电荷数越多吸力越大晶格能也就大二就是离子半越小吸引力大晶格能就越大