载流子的种类

N型半导体中多数载流子是自由电子,少数载流子是空穴.

图中公式即为电导率与半导体中载流子数量的关系：等号左边的符号即为电导率；等号右边第一个字母n即为电子浓度（在P型半导体中则为空穴浓度p）,一定体积的半导体中,电子浓度与载流子数量成正比；第二个字母q为

需要判断载流子聚集在何方实际中载流子迁移速率u服从统计分布规律,速度小的载流子受到的洛伦兹力小于霍尔电场作用力,向霍尔电场作用力方向偏转,速度大的载流子受到磁场作用力大于霍尔电场作用力,向洛伦兹力方向

加相同的电流与磁场,不管是何种载流子,载流子偏转方向总是一样.（从宏观上考虑,即电流与磁场都相同了,则安培力也一定相同；从微观上看,空穴运动方向与电流相同,电子运动方向相反,但电荷也为负,最终负号抵消

是空穴,半导体中有两种载流子,一种是电子,一种是空穴,电子带负点,空穴带正电,不同的半导体载流子不同,载流子说的通俗一点就是电荷传输的载体,金属导体中电子就是载流子

物理实验全解实验一霍尔效应及其应用【预习思考题】1．列出计算霍尔系数、载流子浓度n、电导率σ及迁移率的计算公式,并注明单位.霍尔系数,载流子

RH=1/nq

在磁化状态下,由于分子电流的有序排列,磁介质中将出现宏观电流,称为磁化电流.磁化电流的产生不伴随电荷的宏观位移.凡伴随电荷宏观位移的电流称为传导电流,例如载流导体中的电流.磁化电流可存在于一切磁介质（

1、三极管中电流主要来自于多数载流子的定向流动.由其所带电荷决定电流方向.比如NPN管子,发射区和集电区的都是N区,基极是P区.发射区的多子是自由电子（图里实心的黑点）,带负电.自由电子从发射区出发,

用左手定则,磁场方向穿过手心,四指方向为电流方向,若大拇指指向的是霍尔元件的低电位点,即是负电荷聚集的一侧,则是载流子是负电荷；相反,若大拇指指向的是霍尔元件的高电位点,即是正电荷聚集的一侧,则是载流

根据霍尔板两端的电压高低

因为这时有外加电压使PN结中的空穴和电子定向移动,就向导体中的自由电子永远和导体中的之子量相等,只不过有后续补充,对导体断电后,电流立即消失,永远呈中性.一般硅结为0.6~0.7V,锗结为0.2~0.

载流子电子的浓度主要取决于掺杂浓度；载流子空穴的浓度主要取决于电压?（这个不太拿得准）

这个问题是固体物理中的一个基本概念问题.有效质量只有在能带顶附近处才是负的,而能带顶正好对应于Brilouin区边缘,因此有效质量在Brilouin区边缘处为负.当电子在外力作用下运动时,电子的动量增

正确

PN结形成后,交接面上电子和空穴大量复合,形成一个耗尽层.此时N区由于丧失了电子呈正离子效应,显正电,P区呈负电.因而建立了从N区指向P区的内建电场.此时电子在电场力作用下,向N区移动,而相反空穴向P

是相对的,这种现象多出现于半导体内,当一块本征半导体的两个不同部位分别不同参杂后就会在结的附近出现一面是质子另一面是电子的集中堆积情况,堆积质子的一方由于大面积缺少电子,那么电子便是少数载流子,原来质

空间电荷区存在一个反向电场'载流子在其中是难以平衡的,所以少.至于载流子肯定在原来p区和n区,电荷守恒的再问：内建电场是阻止载流子继续扩散的。空间电荷区内载流子的扩散和漂移运动相等。所以存在一个动态平

本征载流子浓度通常有10的10次方每平方厘米.少数载流子和多数载流子的乘积要是10的20次方没平方厘米.多数载流子通常有10的15次方以上少数载流子通常为10的5次方以下

半导体中通过电流的大小是由半导体的电导率和加在半导体两端的电压来决定.而半导体的电导率由半导体中的载流子浓度和载流子的迁移率来决定（迁移率有点类似速度,不过单位是m^2/V.s）；半导体中的载流子一般