霍尔效应中对称交换法能否完全消除影响

来源:学生作业帮助网 编辑:作业帮 时间:2024/06/18 01:48:41
霍尔效应中对称交换法能否完全消除影响
霍尔效应中 提高霍尔灵敏度用什么方法

测量电压的灵敏度么?增大场强,增大测量距离,增大粒子速度

什么是霍尔效应

当电流垂直于外磁场方向通过导体时,在垂直于磁场和电流方向的导体的两个端面之间出现电势差的现象称为霍尔效应,该电势差称为霍尔电势差(霍尔电压).

在霍尔效应中,为什么对称测量法可以消除误差 用数学方法证明

霍尔元件上测得电压是由各种附加效应所产生的附加电压叠加的结果.附加电压包括不等位电势U0(与Is有关),爱廷豪森效应UE(与Is、B都有关),能斯特效应UN(与B有关)和里纪—勒杜克效应UR(与B有关

霍尔效应法测量磁场试验中地磁场的影响如何消除

先使励磁电流向一个方向,测出霍尔电压U1;然后使励磁电流向另一个方向,测出霍尔电压U2.取两个霍尔电压的平均值,就可以消除地磁场的影响了.原理:两种情况下,装置产生的磁场方向相反,因此地磁场对这两个磁

霍尔效应法测磁场实验中如何判断霍尔半导体的载流子类型?

加相同的电流与磁场,不管是何种载流子,载流子偏转方向总是一样.(从宏观上考虑,即电流与磁场都相同了,则安培力也一定相同;从微观上看,空穴运动方向与电流相同,电子运动方向相反,但电荷也为负,最终负号抵消

霍尔效应实验原理

霍尔效应:通有电流的导体或半导体放在与电流方向垂直的磁场中,在垂直于电流和磁场的方向,物体两侧产生电势差的现象.其实可以用左手定则推出的,电子被偏转在一边的极板上,另一边代正电,就形成了电势差.

霍尔效应是什么

霍尔效应是磁电效应的一种,这一现象是美国物理学家霍尔(A.H.Hall,1855—1938)于1879年在研究金属的导电机构时发现的.当电流垂直于外磁场通过导体时,在导体的垂直于磁场和电流方向的两个端

霍尔效应实验中怎样消除负效应的影响

对称测量法:+B+IsV1+B-IsV2-B-IsV3-B+IsV4然后V=1/4(V1-V2+V3-V4)

什么叫霍尔效应

霍尔效应在1879年被E.H.霍尔发现,它定义了磁场和感应电压之间的关系,这种效应和传统的感应效果完全不同.当电流通过一个位于磁场中的导体的时候,磁场会对导体中的电子产生一个横向的作用力,从而在导体的

霍尔效应

解题思路:利用电磁知识的仪器仪表解题过程:电子天平:是采用电磁力平衡的原理,应用现代电子技术设计而成的。它是将称盘与通电线圈相连接,置于磁场中,当被称物置于称盘后,因重力向下,线圈上就会产生一个电磁力

能否用霍尔效应测磁铁缝隙中的磁场?为什么?

这问题问得很专业,想法很对.磁场强度计的原理就是利用霍尔姆斯效应在测试笔两面的电动势差,转化为电信号来测定指定位置的磁场强度大小.国内的磁场强度计是上海产的数显计,测定笔厚约1MM,宽5~6mm,如果

在"霍尔效应测磁场"实验中,电势差计问题

有一句名言:世上本没有电压表,电压都是电流表改装的也就是说电压表是通过测电流的方式来测电压的在霍尔效应中如果电表也放在B中,那么由于无法产生电流所以无法测电压但电位差计却是真正地测电压的仪器(虽然精度

用霍尔效应法测量磁场过程中,为什么要保持Is的大小不变

Is是给霍尔元件提供的工作电流,根据公式U=BI/ned(B是磁场强度,I就是Is,n是载流子浓度,d是厚度,U为霍尔电压).应该是通过U来计算B的吧.

霍尔效应法测磁场分布实验中,如何观察不等位效应?如何消除它?

这是由于测量霍耳电压的电极A和A'位置难以做到在一个理想的等势面上,因此当有电流通过时,即使不加磁场,也会产生附加的电压V0=ISr,V0的符号只与电流的方向有关,与磁场的方向无关,因此,可以通过改变

霍尔效应法测磁场中B-X曲线是什么样的?

不好好学习的我都没听说过!唉!

霍尔效应原理是什么

霍尔效应的本质是:固体材料中的载流子在外加磁场中运动时,因为受到洛仑兹力的作用而使轨迹发生偏移,并在材料两侧产生电荷积累,形成垂直于电流方向的电场,最终使载流子受到的洛仑兹力与电场斥力相平衡,从而在两

在利用霍尔效应测磁场的实验中,若磁场与霍尔元件薄片不垂直,能否准确测出磁场?为什么呢?

把磁场正交分解,产生两个分量.测出来的是垂直分量,利用三角函数,在知道磁场倾斜角度的情况下,可以求出磁场强度.大概思路就是这么回事,具体的过程相信你会的.

霍尔效应实验中磁场不均匀对测量的影响

有影响.主要是磁场的B不准.减小的方法是设计产生高均匀度磁场的磁场发生装置.

"霍尔效应"是什么?

霍尔效应在1879年被E.H.霍尔发现,它定义了磁场和感应电压之间的关系,这种效应和传统的感应效果完全不同.当电流通过一个位于磁场中的导体的时候,磁场会对导体中的电子产生一个横向的作用力,从而在导体的