绝缘栅型场效应管好坏及极性

绝缘栅型场效应管好坏及极性

一、绝缘栅型场效应管（或IGBT）好坏的简易判别方法     3、判断极性 将万用表拨在R×1KΩ挡,用万用表测量时,将黑表笔固定接在某一电极上,另一表笔红表笔分别接其它 两只管脚,若阻值均为无穷大,对调用红表笔固定接在这一电极（原黑表笔接的那只管脚）上,另一表笔 （黑表笔）分别接其它两只管脚,若阻值均为无穷大,则固定不动的那只表笔接的那只管脚为栅极. 其余两 极再用万用表测量,若测得阻值为无穷大,调换表笔后测量阻值较小.在测量阻值较小的一次中,则判断红 表笔接的为漏极（D）；黑表笔接的为源极（S）.  4、判断好坏 将万用表拨在R×10KΩ挡,用黑表笔接IGBT 的漏极（D）,红表笔接IGBT 的源极（S）,此时万用表的指针 指在无穷处.用手指同时触及一下栅极（G）和漏极（D）,这时IGBT 被触发导通,万用表的指针摆向阻值 较小的方向,并能站住指示在某一位置.然后再用手指同时触及一下源极（S）和栅极（G）,这时IGBT 被阻 断,万用表的指针回到无穷处.此时即可判断IGBT 是好的. 注意：若进第二次测量时,应短接一下源极（S）和栅极（G）.    任何指针式万用表皆可用于检测IGBT.注意判断IGBT 好坏时,一定要将万用表拨在R×10KΩ挡,因R×1K Ω挡以下各档万用表内部电池电压太低,检测好坏时不能使IGBT 导通,而无法判断IGBT 的好坏.此方法同 样也可以用于检测功率场效应晶体管（P-MOSFET）的好坏. 附图  IGBT  绝缘栅双极晶体管(Iusulated Gate Bipolar Transistor)简称IGBT,是一种集BJT的大电流密度和MOSFET 等电压激励场控型器件优点于一体的高压、高速大功率器件.     目前有用不同材料及工艺制作的IGBT, 但它们均可被看作是一个MOSFET输入跟随一个双极型晶体管放 大的复合结构.        IGBT有三个电极(见上图), 分别称为栅极G(也叫控制极或门极) 、集电极C(亦称漏极) 及发射极E(也称源 极) .  从IGBT的下述特点中可看出, 它克服了功率MOSFET的一个致命缺陷, 就是于高压大电流工作时, 导通电阻 大, 器件发热严重, 输出效率下降. IGBT的特点:  1.电流密度大.2.输入阻抗高, 栅驱动功率极小, 驱动电路简单.3.低导通电阻..4.击穿电压高, 安全工作区大, 在瞬态功率较高时不会受损坏. 5.开关速度快, 关断时间短,耐压1kV~1.8kV的约1.2us、600V级的约0.2us, 约为GTR的10%.     代换ICBT时应注意的几个问题：由于IGBT管工作在高电压、大电流状态,工作温度高,易损坏,据不完全统计,在电磁炉故障维修中,IGBT管损坏占80%以上,而各厂家采用的IGBT管型号繁杂,有的厂家还把IGBT管型号标注打磨掉,因此,维修中不得不考虑IGBT的代换.代换时应注意以下二点：1、IGBT管的主要参数宜大不宜小,2000W以下的电磁炉可选用最大电流为20A—25A的IGBT管,2000W或2000W以上的电磁炉可选用最大电流为40A的IGBT管.2、应区分IGBT管内是否含有阻尼二极管,内含有阻尼二极管的IGBT管可代换不含阻尼二极管的IGBT管,若用不含阻尼二极管的IGBT管代换内含有阻尼二极管的IGBT管时,应在新更换的IGBT管的漏极和源极之间并接一只快速恢复二极管,如图所示.部分快速恢复二极管的型号及主要参数如表所示.   电磁炉常用IGBT管型号和主要参数 管子型号最高耐压（V）最大电流（A）管内是否含有二极管20N 120CND120020有K25T120120025有G40N150D150040有5GL40N150D150040有G4PH50UD150040有GT40Q321130040有GT40T101100040无G40T101100040无GT40T301130040无ZQB35JA150035有G30P120N120030无GPQ25101100025有GT15J101100015无GT8Q19119008有GT50J101100050无GT50J102100050无GT50J301130050无GT60M104100060无GT60M301130060无GT75AN—12120075无15Q101100015有25Q101100025有80J101100080无JHT20T120120020有SKW25N120120025有