什么是IGBT饱和压降?

来源：学生作业帮编辑：百度作业网作业帮分类：综合作业时间：2024/05/13 16:30:46

什么是IGBT饱和压降?
是我替老爸问的,在线等哈.谢谢了!

饱和压降（Vces）：在门极电压驱动下,IGBT工作于饱和区（什么是饱和区请查阅相关资料）,IGBT集电极（C）与发射极（E）之间的电压差；不同的门极电压对应不同的饱和压降.
饱和压降是衡量IGBT是否过流的重要指标,在门极驱动电压存在的情况下,发生IGBT过流,Vce会急剧上升,一般当Vce大于饱和压降10微秒(us)左右,IGBT就会损坏.
一般的IGBT驱动保护模块就是通过监控Vce是否大于饱和压降,来实现IGBT过流保护的.

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