与功率晶体功率管GTR先比功能率场效应管MOSFET有哪些优点?
来源:学生作业帮 编辑:百度作业网作业帮 分类:综合作业 时间:2024/05/10 07:55:02
与功率晶体功率管GTR先比功能率场效应管MOSFET有哪些优点?
1、功率MOSFET 具有正温度系数,当结温升高时,通态电阻增大,有自限流作用,而GTR的温度特性为负,温度越高,BE导通电压越小,电流越大,所以功率MOSFET热稳定性要高于GTR.
2、多个同参数MOSFET可以并联使用,通过其正的温度系数,多管之间可以实现自动均流效果,而GTR不具备这个能力.
3、功率MOSFET中只有多数载流子参与导电,不存在GTR中的少数载流子的存储效应,因此开关速度快,工作频率高,是目前所有功率器件中工作频率最高的器件之一.
4、功率MOSFET在开关方式下,其导通时的工作特性处于可调电阻区,器件出现电阻特性,这个通态电阻在大电流条件下,依然会出现较高的管压降,使功率MOSFET有较高的自身损耗.而GTR在饱和导通时,管压降与电流关系是非线性的,其增长幅度要低于MOSFET,因此在高电压,大电流环境下,GTR的自身损耗要低于MOSFET.
2、多个同参数MOSFET可以并联使用,通过其正的温度系数,多管之间可以实现自动均流效果,而GTR不具备这个能力.
3、功率MOSFET中只有多数载流子参与导电,不存在GTR中的少数载流子的存储效应,因此开关速度快,工作频率高,是目前所有功率器件中工作频率最高的器件之一.
4、功率MOSFET在开关方式下,其导通时的工作特性处于可调电阻区,器件出现电阻特性,这个通态电阻在大电流条件下,依然会出现较高的管压降,使功率MOSFET有较高的自身损耗.而GTR在饱和导通时,管压降与电流关系是非线性的,其增长幅度要低于MOSFET,因此在高电压,大电流环境下,GTR的自身损耗要低于MOSFET.
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