一半径为R的无限长带电圆柱面,电荷线密度为.求距圆柱面轴线处r处的电势

如果就做这道题来说的话,图中的解法应该是做等效处理了,由于圆环的对称性,在电势上相当于带Q的点电荷在距离为R上的电势,图中的解法应该是解等效后的这样一个简单模型,楼主说的电势叠加是可以的.

线密度!是面密度吗?如果是,以下是解答.本题需要运用电场的高斯定理.证明很繁琐,这里不便给出.所以只说明一下结论：通过任意闭合曲面的电通量等于该闭合曲面所包围的所有电荷量的代数和与电常数之比.公式为：

E(r)【矢量】=0(rR),

从理论计算上来看,结合高斯定理,推导出的计算公式是：如图.（E.为真空电容率）（q其实就是Q)推导过程需要用到定积分理论.如果楼主还有问题的话,随时欢迎.希望对楼主有用~~~~~再问：可以写的在详细点

点电荷q在距离它r处的电势u=kq/r,k=1/(4πε),ε是真空介电常数.半圆环上任一线元dl上的电荷λdl都相当于一个点电荷,它在圆心处的电势dU=k(λdl)/R.半圆上所有线元上的电电荷都产

取一圆柱形高斯面半径为rr>R时∮E•dS=E2πrL=λL/εE=λ/2πrεr<R时∮E•dS=E2πrL=ρπr^2L/εE=ρr/2ελ是导体单位长度的电荷

带点导体球壳的电势和内径无关,它的表面的电势是U=kq/R2,所以球外距离球心r处的场强就是Er=kq/r^2=UR2/r^2

选两柱之间的半径为r处的无限圆筒为高斯面由对称性知电场仅有径向分量E_r取长为L的一段高斯面高斯面面积为2*pi*r*L内部电荷为Q=a*LE*2*pi*r*L=a*L得E=a/(2*pi*r)

利用对称性,根据高斯定理计算(1)

以球心为原点建立球坐标系.设场点据原点的距离为r1对于球外的场点,即r>R时,可直接使用高斯定理求解.ES=P/ε,其中S=4πr^2整理得：E=P/4πεr^22对于球内的点,即r再问：屌，大神，再

取临界状态,下面两个圆柱体之间无压力.分析最上面圆柱体的受力情况,结合对称性和几何知识得：左下方（右下方亦可）圆柱体对其力为水平向右（√3/6）G,竖直向上（1/2）G.因此左下方圆柱体受力为水平向左

先用高斯定理求出电场分布,再积分得到电势.圆柱体内电场pr/2e,外电场pR^2/2re,e这里是真空介电常数.外电势-(pR^2)(lnr)/(2e),内电势[-(pR^2)(lnr)/(2e)]+

无限长均匀带电圆柱面内外的电场强度分别为E=0,E=a/(2πεr)设有限远r0处的电势为零,则电圆柱面外部距轴线为r的任一点的电势为U=∫Edr(积分限r到r0)=a/(2πε)*ln(r0/r)圆

我刚才算了一遍,利用静电场能量∫∫∫WedV算出的结果系数也是1/8,你再检查一下.再问：麻烦给出您列的式子让我参考下，谢谢再答：

提示：一,r远小于L时,把圆柱面看成无限长导电直导线,则E=,r远大于L时,把圆柱面看成点电荷,则E=,二,直接用对称分析,解出具体的E,然后根据r与L的关系进行处理.

用高斯定理啊因为电荷线密度为G所以圆柱面所带电荷为G*l,而高斯面面积为2∏rG第一种没有电荷所以场强为零第二种E=（q/※）/S（※为真空电容率手机打不出）带进去算一下答案为G/（2∏R1※）第三种

两头无线长的导线在0处产生的磁场一个向上,一个向下,且刚好抵消.所以只需要算出中间那一段弧在o处产生的磁感应强度,B=ΣkI△L/R^2=(2π/3)RIK/R^2=2πIK/3R方向向上其中K=μ/

2(1):球壳内场强为零.球壳外场强E=/4πεR^2.（2）球壳内电势为零.球壳外电势E=/4πεR.3（1）：B=(（2I/0.5d)-(I/0.5d)）μ/2π=μI/πd.（2）：x=2d/3

1、（1）球壳内电场为零,外部电场为：E=kQ/(r*r),r为该点到球心的距离.（2）球壳内电势为U=kQ/R.球壳外电势为U=kQ/r.（3）根据（1）（2）的结果绘制.2、无限长导线外一点的磁场