真空溅射镀黑膜

如此看来你的溅镀机上是没有实时监控膜厚系统,那没有太好的办法,只能通过溅镀一定厚度后测量,根据镀膜时间推算溅镀速率.不过要注意的是可能你做的厚度不一样最后测出来的速率是有一些偏差的,比如你镀50nm,

一般的磁控溅射基材都是不加温的,镀膜过程中,原子、原子团、分子沉积在基材上引起的温度升高一般不会太高,当然如果想附着力提高的话,提前预热基材倒是可以的.一般普通磁控溅射基材温度也就40-50℃.溅射材

应用领域配用永磁操动机构的VSm型户内高压真空断路器可广泛应用于发电厂、变电站以及各监控和使用环节.例如：化工厂、炼钢厂、自动化工厂、飞机场、大型建筑物的供电部分.现代化的真空断路器VSm真空断路器是

测量磁控靶的绝缘最好用兆欧表,1000V兆欧表就够了,因为磁控靶在工作时,电压是很高的,你用万用表测量的绝缘度够,但是实际使用时由于阴阳极之间的电压高,所以绝缘度就不够了.所以测量靶阴极和壳体以及悬浮

真空断路器因其灭弧介质和灭弧后触头间隙的绝缘介质都是高真空而得名；其具有体积小、重量轻、适用于频繁操作、灭弧不用检修的优点,在配电网中应用较为普及.组成真空断路器主要包含三大部分：真空灭弧室、电磁或弹

ITO的靶基距在100-200mm之间最好,用中频时靶基距应该更小.靶基距和当时的真空度、靶的尺寸、靶电流和表面温度等有关,不可一概而论.再问：靶基距一般都是100mm范围内最好，怎么你的数据会那么大

主要原因不是功率,而是铝靶在空气暴露时（即使充气的一瞬间）迅速被氧化,氧化铝的溅射产额非常低,需要将这层氧化铝清除完毕后,才到溅射纯铝的状态,电压才会正常,这个过程就是常说的洗靶.纯铝氧化速度很快,如

虽然不知道你说的ZO是什么材料,从你描述的现象里看应该是靶中毒.明显你的靶材导电性不好,另一块靶材可能掺Al更加均匀,所以溅射时间长一些.

有一般至少可以放两个这要看你的镀膜机的真空罩的大小之后没有溅射的相干就可以了

真空镀膜中常用的方法有真空蒸发和离子溅射.真空蒸发镀膜是在真空度不低于10-2Pa的环境中,用电阻加热或电子束和激光轰击等方法把要蒸发的材料加热到一定温度,使材料中分子或原子的热振动能量超过表面的束缚

磁控溅射镀膜机的加热部分叫加热器,形状有很多种,都是外面是不锈钢管,里面有钨丝和石英,通过控制电流大小来控制加热的温度.

使用真空水壶时一定要把水灌满到标线处,这个标线点在说明书里能看到指示.当把水灌到标线处后再旋紧壶盖就是真空壶了.

Lab色彩模型是由照度（L）和有关色彩的a,b三个要素组成.L表示照度（Luminosity）,相当于亮度,a表示从洋红色至绿色的范围,b表示从黄色至蓝色的范围.L的值域由0到100,L=50时,就相

溅射比蒸镀和工作真空低一个数量级,所以膜层的含气量要比蒸镀高.蒸镀不适用于高溶点材料,如钼,钨,等.因为溶点高,蒸发太慢,而溅射的速度比蒸镀快很多.溅射不适用于低硬度材料,如非金属材料.溅射不适用于非

正数是绝对真空度,负数是相对真空度,相对真空度来讲,1标准大气压就是0了.0.18,没有负号就算是正了呗,单位是什么,铭牌上数字后面应该有个单位的.

显然,你这是因为膜厚不同造成的.影响膜厚的因素有很多.除了你考虑到的抽气以外,还有工艺气体分布、靶基距、磁场密度分布等等.你可以先尝试是否能够通过调整气体分布,或靶基距,来达到要求.

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那个溅射靶材一切完好,电源都是好的,这是代表什么?代表正常工作吗>?还是代表它一个螺丝没少?讲得不具体?首先你自己了解溅射工艺吗?如果是做这行的,基本条件就不用谈了!以下两点是必须你要具备溅射条件才有

玻璃与第一层溅射铜的结合力差,需要先对玻璃进行腐蚀处理,然后还需要使用可以促进玻璃与铜结合的表面调整剂.

你好!用于平板玻璃镀膜的溅射沉积真空工艺有好多,镀CrN.TiN.TiAlCN.TiCN.TiAlN.金色、黄铜色、玫瑰金色、银白色、黑色、烟灰色紫铜色、棕色、紫色、蓝色、酒红色、古铜色等颜色,并能根