N沟道增强型MOS管中假设使VGS大于开启电压,漏源两极的电压VDS开启电压,我不明白后面那两个式子是怎么得到的,我看的
来源:学生作业帮 编辑:百度作业网作业帮 分类:综合作业 时间:2024/05/15 18:24:10
N沟道增强型MOS管中假设使VGS大于开启电压,漏源两极的电压VDS开启电压,我不明白后面那两个式子是怎么得到的,我看的是模拟电子第三版,谁能给讲下
1、UGD=UGS-UDS,这是定义,没有什么好说的.
2、第三个式子是从第二个推导出来的.
3、整个公式其实是从实验获得,你如果仔细研究一下结型管的数据获得明白了.具体过程是这样的.
(1)首先设定UDS为0,然后慢慢增加UGS,等到UGS〉UGS(th),管子两端只要加微量电流,管子就可以导通,此时沟道形成了.
(2)当UGS为大于UGS(th)的某个特定值,然后增加UDS.当UDSUGS-UGS(th),此时管子的电流就不会随着UDS变化而变化了,基本上维持恒定,只与UGS有关系,UGS越大,电流越大.
我不太喜欢用UGD表示,还是用UDS和UGS表示比较直观.
模电很多结论一方面是从半导体物理基础研究而来,也有很多是从实验结果获得的.
再问: 可是栅极和漏极怎么联系在一起呢
再答: 就是从夹断角度研究的,UDS逐步增大过程中,UGD逐步减小,靠近漏极的导电沟道开始变窄。从这里可以看出,UGD其实就代表着导电沟道的宽窄变化。 以上这些内容在分析结型管时写得清清楚楚,我用的是童诗白的《模拟电子技术基础》第四版,P41。其实结型管的分析方法与MOSFET非常相似,而且结构更简单一些,两者只是工作原理不同,但在分析工作状态时,手法相当接近。
再问: 夹断知道,比较这两个电压能得岀什么?
再答: 管子的状态啊,MOS管是电压控制器件(这个你应该知道,既然是电压控制器件,不比较电压难道还比较电流不成?),各极之间的电压关系可以反映管子的工作状态(饱和、截止、放大)。这跟三极管用电流表示工作状态不是一样的嘛。三极管的时候,你可以认为,Ic
2、第三个式子是从第二个推导出来的.
3、整个公式其实是从实验获得,你如果仔细研究一下结型管的数据获得明白了.具体过程是这样的.
(1)首先设定UDS为0,然后慢慢增加UGS,等到UGS〉UGS(th),管子两端只要加微量电流,管子就可以导通,此时沟道形成了.
(2)当UGS为大于UGS(th)的某个特定值,然后增加UDS.当UDSUGS-UGS(th),此时管子的电流就不会随着UDS变化而变化了,基本上维持恒定,只与UGS有关系,UGS越大,电流越大.
我不太喜欢用UGD表示,还是用UDS和UGS表示比较直观.
模电很多结论一方面是从半导体物理基础研究而来,也有很多是从实验结果获得的.
再问: 可是栅极和漏极怎么联系在一起呢
再答: 就是从夹断角度研究的,UDS逐步增大过程中,UGD逐步减小,靠近漏极的导电沟道开始变窄。从这里可以看出,UGD其实就代表着导电沟道的宽窄变化。 以上这些内容在分析结型管时写得清清楚楚,我用的是童诗白的《模拟电子技术基础》第四版,P41。其实结型管的分析方法与MOSFET非常相似,而且结构更简单一些,两者只是工作原理不同,但在分析工作状态时,手法相当接近。
再问: 夹断知道,比较这两个电压能得岀什么?
再答: 管子的状态啊,MOS管是电压控制器件(这个你应该知道,既然是电压控制器件,不比较电压难道还比较电流不成?),各极之间的电压关系可以反映管子的工作状态(饱和、截止、放大)。这跟三极管用电流表示工作状态不是一样的嘛。三极管的时候,你可以认为,Ic
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