百度作业网请问化合物的非线性光学性能与其禁带宽度有何联系?可以通过测定化合物的禁带宽度来预测其有无非线性光学性能吗?
来源：学生作业帮 编辑：百度作业网作业帮 分类：物理作业 时间：2024/06/01 13:43:30
请问化合物的非线性光学性能与其禁带宽度有何联系?可以通过测定化合物的禁带宽度来预测其有无非线性光学性能吗?
我学固体物理和非线性光学已经是几年前的事了.用一点残存的印象说两句供你参考.
禁带宽度反映的是物体本身的物质属性.引用一段他人的描述如下,
“禁带宽度是指一个能带宽度(单位是电子伏特(ev)).固体中电子的能量是不可以连续取值的,而是一些不连续的能带.要导电就要有自由电子存在.自由电子存在的能带称为导带（能导电）.被束缚的电子要成为自由电子,就必须获得足够能量从而跃迁到导带,这个能量的最小值就是禁带宽度.硅的禁带宽度为0.8ev,砷化镓比他高得多（具体不记得了,大概是一点几还是二点几）.禁带非常窄就成为金属了,反之则成为绝缘体.半导体的反向耐压,正向压降都合禁带宽度攸关.”
而非线性光学性能主要由晶体本身的点群结构决定,反映的是光的传播.一般用折射率椭球描述.
一般研究禁带宽度的和研究非线性光学的用的是不同的方法,侧重点不同.也许他们最终的解释都是在原子电子层面的,但目前貌似没有相关的成熟理论.不知道楼主是不是在搞很前沿的研究,如果是那还是建议去专业期刊上搜.
禁带宽度反映的是物体本身的物质属性.引用一段他人的描述如下,
“禁带宽度是指一个能带宽度(单位是电子伏特(ev)).固体中电子的能量是不可以连续取值的,而是一些不连续的能带.要导电就要有自由电子存在.自由电子存在的能带称为导带（能导电）.被束缚的电子要成为自由电子,就必须获得足够能量从而跃迁到导带,这个能量的最小值就是禁带宽度.硅的禁带宽度为0.8ev,砷化镓比他高得多（具体不记得了,大概是一点几还是二点几）.禁带非常窄就成为金属了,反之则成为绝缘体.半导体的反向耐压,正向压降都合禁带宽度攸关.”
而非线性光学性能主要由晶体本身的点群结构决定,反映的是光的传播.一般用折射率椭球描述.
一般研究禁带宽度的和研究非线性光学的用的是不同的方法,侧重点不同.也许他们最终的解释都是在原子电子层面的,但目前貌似没有相关的成熟理论.不知道楼主是不是在搞很前沿的研究,如果是那还是建议去专业期刊上搜.